莱迪思提供了多种用于最新存储器技术的高性能接口解决方案。这些解决方案将创新的硅片与知识产权（IP）核结合在一起，提供了针对网络应用的强大的解决方案。

特点

LatticeSC FPGA器件提供全能的嵌入式高速存储控制器，支持 DDRI/II SDRAM、 QDR SRAM 和 RLDRAM 存储器件。

LatticeEC/ECP/XP/XP2/ECP2/M FPGA器件提供了专用的资源用于对齐DQ和DQS信号，多路合成/多路分解双数据速率,以及从DQS时钟域到系统时钟域转换数据。< /li>

Lattice ORSPI4 FPSC含有一个嵌入式的QDR II存储器接口，可提供20+ Gbps带宽的至FPGA的简单的FIFO接口。

通过ispLeverCORE项目，莱迪思提供多种用于时尚存储器接口的IP核及其参考设计。

存储器接口标准、IP及参考设计

存储器标准 I/O标准 最高时钟速率 数据率 硬IP 软IP 参考设计

DDR SDRAM SSTL 2.5V 200 MHz1 400 Mbps2 LatticeSC DDR/DDR2 SDRAM MACO控制器 [EN]

DDR SDRAM控制器 - 流水线技术/非流水线技术 [EN] DDR SDRAM控制器 [EN]

DDR2 SDRAM SSTL 1.8V 333 MHz1 667 Mbps2 LatticeSC DDR/DDR2 SDRAM MACO控制器 [EN] DDR2 SDRAM控制器 - 流水线技术

QDR I/II/II+ SRAM

HSTL 1.8V or 1.5V 350 MHz 700 Mbps LatticeSC QDR MACO控制器 [EN]

  QDR存储控制器 [EN]

RLDRAM I/II HSTL 1.8V 800 Mbps 400 MHz LatticeSC RLDRAM MACO控制器 [EN]

1 对于LatticeXP2而言，DDR1/2 SDRAM的时钟频率为200 MHz，管脚容量为400 Mbps

2 对于LatticeXP而言，DDR1/2 SDRAM的时钟频率为166 MHz，管脚容量为333 Mbps

阅读更多：

存储器接口白皮书

存储器接口用户指南

存储器接口应用文章

XP FPGA：拥有瞬时上电功能的低成本FPGA中的专用DDR存储器接口电路 [EN]

ORSPI4

Lattice支持下列存储器供应商

Micron, Inc. www.micron.com

Qimonda www.qimonda.com

Samsung www.samsung.com

网络应用中的存储器

在网络及通信应用中，从简单的地址查找、流量整形/管理到缓冲器管理，都需要大型、高速的存储芯片。图1展示了一个典型的网络结构。在 10 Gbps速率下，典型的1000:1读写比的地址查找可以用数据率（DDR）SRAM来方便地处理。连接表管理、流量整形以及统计数据收集通常为1:1的读写比，需要更高性能的四数据率（QDR）SRAM。另一方面，更大的缓冲存储器通常在DDR SDRAM（同步DRAM）中实现。在更快的数据传送情况下，用与处理器时钟同步的SDRAM存储器来替代DRAM。

图1: 一个典型网络应用中的存储器

近来，另一个新的挑战者登上了高性能存储器舞台。低延迟动态随机存取内存（RLDRAM）提供了SRAM类型的接口，非多路复用的地址。RLDRAM技术提供了最小的延迟并且减少了行周期时间，非常适用于要求临界响应时间和超高速随机访问的应用，诸如下一代（10 Gbps或更高）的网络应用。